手机充电IC设置电流与实测电流不一致问题剖析

大家好，我是写代码的篮球球痴，转一篇我朋友记得诚的文章

本文转载来自一位基带大佬，解决问题的思路很重要。

原文链接：

https://blog.csdn.net/AirCity123/article/details/104428325pm=1001.2014.3001.5502

某手机的充电架构如下，主Charger用的是高通MSM8953平台套片的PMI8952，辅Charger用的是TI的BQ25898C。

经交叉验证，此IC换到TI的EVB上，电流误差都在要求以内，IC本身没问题。

排查寄存器配置，软件反馈也没有问题。

此后把注意力放在PCB Layout上。下面是BQ25898C的内部架构图，Q4的存在证明了这个充电IC是一个带电源路径管理的IC。

BQ25898C的Q4其实是由5个并联的MOS组成，每个MOS是一个充电通道，当设置充电电流为1.5A以下时，通道的阻抗为28mohm，当设置为1.5A以上时，通道阻抗为8mohm；芯片内部只检测这5个通道中最中间的那个通道的电流，是否正常。

可以看到这5个通道分别占用了5对Pad，这个走线并不好，因为考虑到走线的阻抗，最上面的MOS的电流通路阻抗最小，最下面的MOS电流通路阻抗最大。我们对走线阻抗做如下假设：

2、保证每个通道的阻抗是对称的。

今天的文章内容到这里就结束了，希望对你有帮助，我们下一期见。

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来源：嵌入式Linux,