2018年1月，UFS 3.0正式发布。作为UFS 2.0和2.1的迭代升级产品，UFS 3.0在性能上带来了非常显著的提升和进步。不过，目前这款闪存并没有正式商用，所以关于他的实际性能我们无从得知。
日前，网络上曝光了一张1TB UFS 3.0闪存的Androbench读写测试记录截图。
从这份记录中，我们可以明显的看到UFS 3.0的顺序读取速度达到了2279.8MB/s，顺序写入速度达到了1801.1MB/s。按照目前UFS 2.1普遍的700-800MB/s顺序读取速度来看，基本是2-3倍了。
另外，UFS 3.0支持更多分区，纠错的能力升级，电压达到2.5V，并支持最新的NANG Flash介质。
2019年的主流旗舰芯片都支持UFS 3.0，目前已经确定高通骁龙855和三星Exynos 9820能够兼容这一全新的闪存规格。三星也曾表示预计将会在今年上半年推出搭载UFS 3.0闪存的机型。目前推测，三星Galaxy S10系列应该会有一款产品，采用的是UFS 3.0规格闪存，可能是顶配的S10+ 5G版本。
看样子，UFS 3.0的产品真正推出，可能还需要一段时间，但其实际表现应该会大幅超过现有的UFS 2.1产品，我们不妨期待一下。
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来源：weixin_39823269
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